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Recombination defects at the 4H-SiC/SiO2 interface investigated with electrically detected magnetic resonance and ab initio calculations
被引：0
作者：
机构：
[1] Cottom, J.
[2] Gruber, G.
[3] Pobegen, G.
[4] Aichinger, T.
[5] Shluger, A.L.
来源：
|
1600年
/
American Institute of Physics Inc.卷
/
124期
关键词：
Number:;
EP/G036675/1;
EP/L000202/1;
Acronym:;
EPSRC;
Sponsor: Engineering and Physical Sciences Research Council;
EP/L000202;
RPG-2016-135;
-;
Sponsor: Leverhulme Trust;
D O I：
暂无
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