Highly conductive indium nanowires deposited on silicon by dip-pen nanolithography

被引：0

作者：

机构：

[1] [1,Kozhukhov, Anton

[2] Klimenko, Anatoliy

[3] Shcheglov, Dmitriy

[4] 1,Volodin, Vladimir

[5] Karnaeva, Natalya

[6] Latyshev, Alexander

来源：

| 1600年 / American Institute of Physics Inc.卷 / 117期

关键词：

13;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用