3C-SiC(100) homoepitaxial growth by chemical vapor deposition and schottky barrier junction characteristics

被引：0

作者：

Ishida, Y. ^{[1
]}

Kushibe, M. ^{[1
]}

Takahashi, T. ^{[1
]}

Okumura, H. ^{[1
]}

Yoshida, S. ^{[2
]}

机构：

[1] National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Power Electronics Research Center, 1-1-1 Umezono, Tsukuba-shi, Ibaraki 305-8568, Japan

[2] Saitama University, 255, Shimo-Ohkubo, Saitama City, Saitama 338-8570, Japan

来源：

Materials Science Forum | 2002年 / 389-393卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.275

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Epitaxial growth

引用

页码：275 / 278