Low-temperature oxidation of silicon using UV-light-excited ozone

被引：0

作者：

机构：

[1] Tosaka, Aki

[2] 1,Nishiguchi, Tetsuya

[3] Nonaka, Hidehiko

[4] Ichimura, Shingo

来源：

Tosaka, A. (aki.tosaka@aist.go.jp) | 1600年 / Japan Society of Applied Physics卷 / 44期

关键词：

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