Radiation-induced defects in p-type silicon carbide

被引：0

作者：

Kanazawa, S. ^{[1
]}

Okada, M. ^{[2
]}

Nozaki, T. ^{[1
]}

Shin, K. ^{[1
]}

Ishihara, S. ^{[2
]}

Kimura, I. ^{[1
,3
]}

机构：

[1] Department of Nuclear Engineering, Kyoto University, Yoshida, Sakyo, Kyoto 606-8501, Japan

[2] Research Reactor Institute, Kyoto University, Kumatori, Osaka 590-0494, Japan

[3] Institute of Nuclear Safety System, Inc., Sata, Mihama, Fukui 919-1205, Japan

来源：

关键词：

Carbon vacancy - Liquid nitrogen temperature - Room temperature - Thermal annealing;

D O I：

10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.521

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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