Investigation of Nitrous Oxide Nitridation Temperatures on P-Type Pi-Gate Poly-Si Junctionless Accumulation Mode TFTs

被引：0

作者：

Hsieh, Dong-Ru ^{[1
]}

Lin, Kun-Cheng ^{[1
]}

Chao, Tien-Sheng ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu,30010, Taiwan

来源：

IEEE Journal of the Electron Devices Society | 2019年 / 7卷

关键词：

Compendex;

D O I：

8630465

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Timing circuits

引用

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