Diffusion coefficient of silicon in thin SiC layers as a criterion for the quality of the grown layers

被引：0

作者：

Cimalla, V. ^{[1
]}

Wöhner, Th. ^{[2
]}

Pezoldt, J. ^{[2
]}

机构：

[1] Found. for Res. and Technol. Hellas, Microelectronics Research Group, PO Box 1527, GR-71110 Heraklion/Crete, Greece

[2] Inst. F. Festkörperelektronik, TU Ilmenau, Postfach 100 565, DE-98684 Ilmenau, Germany

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D O I：

暂无

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