Modeling of width-quantization-induced variations in logic FinFETs for 22nm and beyond

被引：0

作者：

IBM Research Division, T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, United States ^{[1
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不详 ^{[2
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不详 ^{[3
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机构：

来源：

Dig Tech Pap Symp VLSI Technol | 2011年 / 16-17期

关键词：

D O I：

5984611

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Fins (heat exchange)

引用