Operation and properties of ambipolar organic field-effect transistors

被引:0
作者
机构
[1] Paasch, G.
[2] Lindner, Th.
[3] Rost-Bietsch, C.
[4] Karg, S.
[5] Riess, W.
[6] Scheinert, S.
来源
Paasch, G. (cro@zurich.ibm.com) | 1600年 / American Institute of Physics Inc.卷 / 98期
关键词
41;
D O I
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