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Operation and properties of ambipolar organic field-effect transistors
被引:0
作者
:
机构
:
[1]
Paasch, G.
[2]
Lindner, Th.
[3]
Rost-Bietsch, C.
[4]
Karg, S.
[5]
Riess, W.
[6]
Scheinert, S.
来源
:
Paasch, G. (cro@zurich.ibm.com)
|
1600年
/ American Institute of Physics Inc.卷
/ 98期
关键词
:
41;
D O I
:
暂无
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
引用
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