Epitaxial growth of β-SiC on ion-beam synthesized β-SiC: Structural characterization

被引：0

作者：

Romano-Rodriguez, A. ^{[1
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Pérez-Rodríguez, A. ^{[1
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Serre, C. ^{[1
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Morante, J.R. ^{[1
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Esteve, J. ^{[2
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Acero, M.C. ^{[2
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Kögler, R. ^{[3
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Skorupa, W. ^{[3
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Östling, M. ^{[4
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Nordell, N. ^{[5
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Karlsson, S. ^{[5
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Van Landuyt, J. ^{[6
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机构：

[1] EME, University of Barcelona, Assocaited Unit to CNIM-CSIC, c/Martí i Franquès 1, ES-08028 Barcelona, Spain

[2] CNM-CSIC, Campus UAB, ES-08193 Bellaterra, Spain

[3] Forschungszentrum Rossendorf, PO Box 510119, DE-01314 Dresden, Germany

[4] KTH, Electrum 229, SE-16440 Kista, Sweden

[5] IMC Indust. Microelectronics Center, Electrum 233, PO Box 1084, SE-16440 Kista, Sweden

[6] EMAT-RUCA, University of Antwerpen, Groenenborgerlaan 171, BE-2020 Antwerpen, Belgium

来源：

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用