Indium reevaporation during molecular beam epitaxial growth of InGaAs layers on GaAs substrates

被引：0

作者：

Faculty of Science and Technology, Hirosaki University, 3 Bunkyo-cho, Hirosaki, Aomori 036-8561, Japan ^{[1
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不详 ^{[2
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机构：

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 2000年 / 39卷 / 7 B期

关键词：

Indium reevaporation - Lattice mismatch;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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