Characteristics of ZrO2 thin films by atomic layer deposition for alternative gate dielectric applications

被引：0

作者：

Park, Juwhan ^{[1
]}

Choi, Bongsik ^{[1
]}

Park, Nohhon ^{[1
]}

Shin, Hyun-Jung ^{[1
]}

Lee, Jae-Gab ^{[1
]}

Kim, Jiyoung ^{[1
]}

机构：

[1] Dept. of Materials Engineering, Kookmin University, Seoul, Korea, Republic of

来源：

关键词：

D O I：

10.1080/713718334

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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