Substrate-bias assisted hot electron injection method for high-speed, low-voltage, and multi-bit flash memories

被引：0

作者：

School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-713, Korea, Republic of ^{[1
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机构：

来源：

Jpn. J. Appl. Phys. | / 12卷

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Electrons

引用