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Hot-wall CVD growth of 4H-SiC using Si2Cl6+C 3H8+H2 system
被引：0
作者：
Miyanagi, Toshiyuki
[1
]
Nishino, Shigehiro
[1
]
机构：
[1] Department of Electronics and Information Science, Kyoto Institute of Technology, Matsugasaki, Sakyo, Kyoto 606-8585, Japan
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
7
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