High-density plasma etching characteristics of indium-gallium-zinc oxide thin films in CF4/Ar plasma

被引：0

作者：

Joo, Young-Hee ^{[1
]}

Kim, Chang-Il ^{[1
]}

机构：

[1] School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University, 84, Heukseok-ro, Dongjak-gu, Seoul,156-759, Korea, Republic of

来源：

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

X ray photoelectron spectroscopy

引用

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