共 50 条
Modeling and optimization of a double-well double-barrier GaN/AlGaN/GaN/AlGaN resonant tunneling diode
被引:0
|作者:
机构:
[1] Liu, Yang
[2] Gao, Bo
[3] Gong, Min
[4] Shi, Ruiying
来源:
Gao, Bo (gaobo@scu.edu.cn)
|
1600年
/
American Institute of Physics Inc.卷
/
121期
关键词:
D O I:
暂无
中图分类号:
学科分类号:
摘要:
26
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