20-μW operation of an a-IGZO TFT-based RFID chip using purely NMOS active load logic gates with ultra-low-consumption power

被引：0

作者：

Hitachi, Ltd., Central Research Laboratory, 1-280 Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan ^{[1
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机构：

来源：

IEEE Symp VLSI Circuits Dig Tech Pap | 2011年 / 54-55期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Computer circuits - Semiconducting indium compounds - Zinc compounds - Glass substrates - Amorphous films - Logic gates - Gallium compounds

引用