Dopant deactivation in heavily Sb doped Si (001): A high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy study

被引：0

作者：

Takamura, Yayoi ^{[1
]}

Vailionis, Arturas ^{[2
]}

Marshall, Ann F. ^{[2
]}

Griffin, Peter B. ^{[1
]}

Plummer, James D. ^{[1
]}

机构：

[1] Center for Integrated Systems, Stanford University, Stanford, CA 94305, United States

[2] Laboratory for Advanced Materials, Stanford University, Stanford, CA 94305, United States

来源：

| 1600年 / American Institute of Physics Inc.卷 / 92期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用