Impact of structural strained layer near SiO2/Si interface on activation energy of time-dependent dielectric breakdown

被引：0

作者：

ULSI Proc. Technol. Devmt. Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corp., 19 Nishikujyo-kasugacho, Minami-ku, Kyoto 601-8413, Japan ^{[1
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不详 ^{[2
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机构：

来源：

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers | 2000年 / 39卷 / 7 B期

关键词：

D O I：

暂无

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学科分类号：

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引用

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