Spice modelling of the superjunction IGBT

被引：0

作者：

Department of Engineering, University of Cambridge, United Kingdom ^{[1
]}

不详 ^{[2
]}

机构：

来源：

IET Semin Dig | 1600年 / 2卷

关键词：

Compendex;

D O I：

9th International Seminar on Power Semiconductors, ISPS 2008

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Insulated gate bipolar transistors (IGBT) - SPICE

引用