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Fast atom beam-activated n-Si/n-GaAs wafer bonding with high interfacial transparency and electrical conductivity
被引：0
|作者：
机构：
[1] Essig, S.
[2] Moutanabbir, O.
[3] Wekkeli, A.
[4] Nahme, H.
[5] Oliva, E.
[6] Bett, A.W.
[7] Dimroth, F.
来源：
|
1600年
/
American Institute of Physics Inc.卷
/
113期
关键词：
All Open Access;
Green;
D O I：
暂无
中图分类号：
学科分类号：
摘要：
34
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