Atomic-layer epitaxy of silicon on (100) surface

被引：0

作者：

Satoh, Yasuo ^{[1
]}

Ikeda, Keiji ^{[1
]}

Sugahara, Satoshi ^{[1
]}

Matsumura, Masakiyo ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1, 0-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, Japan

来源：

| 1600年 / JJAP, Tokyo卷 / 39期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用