Analysis of angular dependence of proton-induced multiple-bit upsets in a synchronous SRAM

被引：0

作者：

Japan Aerospace Exploration Agency, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, Japan ^{[1
]}

不详 ^{[2
]}

机构：

来源：

| 1600年 / 2200-2204卷 / December 2005期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Protons - Transistors

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