Investigation of deep level defects in electron irradiated indium arsenide quantum dots embedded in a gallium arsenide matrix

被引：0

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作者：

机构：

[1] Strong, Wyatt H.

[2] Forbes, David V.

[3] Hubbard, Seth M.

来源：

Hubbard, Seth M. | 1600年 / Elsevier Ltd卷 / 25期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

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学科分类号：

摘要：

Gallium arsenide

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