AlGaN/GaN polarization-induced two-dimensional electron gas materials grown by radio-frequency plasma assisted molecular beam epitaxy

被引：0

作者：

Sun, Dian-Zhao ^{[1
]}

Hu, Guo-Xin ^{[1
]}

Wang, Xiao-Liang ^{[1
]}

Liu, Hong-Xin ^{[1
]}

Liu, Cheng-Hai ^{[1
]}

Zeng, Yi-Ping ^{[1
]}

Li, Jin-Min ^{[1
]}

Lin, Lan-Ying ^{[1
]}

机构：

[1] Inst. of Semi-conduct., Chinese Acad. of Sci., Beijing 100083, China

来源：

Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors | 2001年 / 22卷 / 11期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Semiconducting gallium compounds

引用

页码：1425 / 1428