Influence of Ge and Si on reactive ion etching of GaN in Cl2 plasma

被引：0

作者：

Urushido, Tatsuhiro ^{[1
]}

Yoshida, Harumasa ^{[1
]}

Miyake, Hideto ^{[1
]}

Hiramatsu, Kazumasa ^{[1
]}

机构：

[1] Dept. of Elec. and Electronic Eng., Faculty of Engineering, Mie University, 1515 Kamihama, Tsu, Mie 514-8507, Japan

来源：

| 1600年 / Japan Society of Applied Physics卷 / 41期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用