Deep traps determining the non-radiative lifetime and defect band yellow luminescence in n-GaN

被引：0

作者：

机构：

[1] Polyakov, A.Y.

[2] 1,Smirnov, N.B.

[3] 1,Yakimov, E.B.

[4] 1,Tarelkin, S.A.

[5] Turutin, A.V.

[6] Shemerov, I.V.

[7] Pearton, S.J.

[8] Bae, Kang-Bin

[9] Lee, In-Hwan

来源：

Lee, In-Hwan (ihlee@jbnu.ac.kr) | 1600年 / Elsevier Ltd卷 / 686期

关键词：

Gallium nitride;

D O I：

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