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Short minority carrier lifetimes in highly nitrogen-doped 4H-SiC epilayers for suppression of the stacking fault formation in PiN diodes
被引：0
作者：
机构：
[1] [1,Tawara, T.
[2] Miyazawa, T.
[3] 1,Ryo, M.
[4] 1,Miyazato, M.
[5] Fujimoto, T.
[6] 1,Takenaka, K.
[7] 1,Matsunaga, S.
[8] 1,Miyajima, M.
[9] Otsuki, A.
[10] Yonezawa, Y.
[11] Kato, T.
[12] Okumura, H.
[13] Kimoto, T.
[14] Tsuchida, H.
来源：
|
1600年
/
American Institute of Physics Inc.卷
/
120期
关键词：
27;
D O I：
暂无
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