Deep level defects in n-type GaAsBi and GaAs grown at low temperatures

被引：0

作者：

机构：

[1] Mooney, P.M.

[2] Watkins, K.P.

[3] 1,Jiang, Zenan

[4] 1,Basile, A.F.

[5] 2,Lewis, R.B.

[6] Bahrami-Yekta, V.

[7] 2,Masnadi-Shirazi, M.

[8] 2,5,Beaton, D.A.

[9] Tiedje, T.

来源：

Mooney, P.M. (pmooney@sfu.ca) | 1600年 / American Institute of Physics Inc.卷 / 113期

关键词：

Gallium arsenide;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Conference article (CA)

引用