Electrical properties of plasma enhanced chemical vapor deposition a-Si:H and a-Si1-xCx:H for microbolometer applications

被引：0

作者：

机构：

[1] [1,Shin, Hang-Beum

[2] Saint John, David

[3] Lee, Myung-Yoon

[4] 4,Podraza, Nikolas J.

[5] 2,Jackson, Thomas N.

来源：

| 1600年 / American Institute of Physics Inc.卷 / 114期

关键词：

Plasma enhanced chemical vapor deposition;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Journal article (JA)

引用