A study on critical fabrication process of silicon based graphene field effect transistor

被引：0

作者：

机构：

[1] [1,2,Zhang, Feng

[2] 1,2,Fang, Xin-Xin

[3] 1,2,Cheng, Ji

[4] 1,2,Tang, Feng-Jie

[5] 1,Jin, Qing-Hui

[6] 1,Zhao, Jian-Long

来源：

Jin, Q.-H. | 2013年 / Journal of Functional Materials, P.O. Box 1512, Chongqing, 630700, China卷 / 44期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Graphene

引用