AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor employing an additional gate for high-voltage switching applications

被引：0

作者：

机构：

[1] Min-Woo, H.A.

[2] Lee, Seung-Chul

[3] Her, Jin-Cherl

[4] Seo, Kwang-Seok

[5] Han, Min-Koo

来源：

Min-Woo, H.A. (isobar@emlab.snu.ac.kr) | 1600年 / Japan Society of Applied Physics卷 / 44期

关键词：

Electron mobility;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用