Preparation and ferroelectric properties of Si-based Pb(Zr0.4, Ti0.6)O3 capacitor using Ni-Nb as the barrier layer

被引：0

作者：

Zhao, Qing-Xun ^{[1
]}

Qi, Chen-Guang ^{[1
]}

Jia, Dong-Mei ^{[1
]}

Fu, Yue-Ju ^{[1
]}

Guo, Jian-Xin ^{[1
]}

Liu, Bao-Ting ^{[1
]}

机构：

[1] College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding 071002, China

来源：

Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals | 2013年 / 42卷 / 02期

关键词：

14;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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