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Investigation of the cut location in hydrogen implantation induced silicon surface layer exfoliation
被引:57
作者
:
Hochbauer, T.
论文数:
0
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0
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0
机构:
Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM 87545, United States
Hochbauer, T.
Misra, A.
论文数:
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机构:
Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM 87545, United States
Misra, A.
Nastasi, M.
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机构:
Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM 87545, United States
Nastasi, M.
Mayer, J.W.
论文数:
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机构:
Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM 87545, United States
Mayer, J.W.
机构
:
[1]
Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM 87545, United States
[2]
Arizona State University, Tempe, AZ 85287-1704, United States
来源
:
Journal of Applied Physics
|
2001年
/ 89卷
/ 11 I期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1353561
中图分类号
:
学科分类号
:
摘要
:
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