Packaged High Power Frond-End Module for Broadband 24GHz 28GHz 5G solutions

被引：0

作者：

Ayad, Mohammed ^{[1
]}

Couturier, Anne-Marie ^{[1
]}

Poilvert, Pascal ^{[1
]}

Marechal, Laurent ^{[1
]}

Auxemery, Philippe ^{[1
]}

机构：

[1] United Monolithic Semiconductors SAS, 10 avenue du Québec, Villebon-sur-Yvette,France, France

来源：

IEEE 5G World Forum, 5GWF 2018 - Conference Proceedings | 2018年

关键词：

Compendex;

D O I：

8517048

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Economic and social effects - Efficiency - III-V semiconductors - Low noise amplifiers - Power amplifiers - Costs - Aluminum gallium nitride - 5G mobile communication systems - Broadband amplifiers - Bandwidth - Chip scale packages - Gallium arsenide - Gallium nitride - Mean square error - Noise figure - Silicon carbide

引用

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