Total dose irradiation effect and reliability of domestic partially-depleted SOI MOSFET

被引：0

作者：

Cui, Jiang-Wei ^{[1
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Yu, Xue-Feng ^{[1
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Liu, Gang ^{[4
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Li, Mao-Shun ^{[1
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Lan, Bo ^{[1
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Zhao, Yun ^{[1
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Fei, Wu-Xiong ^{[1
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Chen, Rui ^{[1
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机构：

[1] Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi 830011, China

[2] Xinjiang Key Laboratory of Electric Information Materials and Devices, Urumqi 830011, China

[3] Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China

[4] Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China

来源：

Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology | 2010年 / 44卷 / 10期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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