A Compact, Low-Power and Constant Output Power 330 GHz Voltage-Controlled Oscillator in 130-nm SiGe BiCMOS

被引：0

作者：

Pantoli, L. ^{[1
]}

Bello, H. ^{[1
]}

Ng, H.J. ^{[2
]}

Kissinger, D. ^{[3
]}

Leuzzi, G. ^{[1
]}

机构：

[1] Department of Industrial and Information Engineering and Economics, University of L’Aquila, L’Aquila,67100, Italy

[2] IHP – Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik, Frankfurt (Oder),15236, Germany

[3] Institute of Electronic Devices and Circuits, Ulm University, Albert-Einstein-Allee 45, Ulm,89081, Germany

来源：

Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves | 2020年 / 41卷 / 07期

基金：

欧盟地平线“2020”;

关键词：

Si-Ge alloys;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

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