Surface Particles of 200 mm Heavily Doped Silicon Wafer before APCVD Process with Dopants

被引：0

作者：

Han, Ping ^{[1
,2
]}

Qu, Xiang ^{[2
]}

Zhou, Qigang ^{[1
,2
]}

Xiao, Qinghua ^{[2
]}

Liu, Bin ^{[2
]}

He, Yu ^{[2
]}

机构：

[1] General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing,100088, China

[2] GRINM Semiconductor Materials Co., Ltd., Beijing,100088, China

来源：

Xiyou Jinshu/Chinese Journal of Rare Metals | 2019年 / 43卷 / 06期

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Silicon wafers

引用

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