P+-Ga1-xAlxAs/P-GaAs/n-GaAs/n±-GaAs太阳电池的理论光谱响应和光生电流

被引：0

作者：

王海涛

陈庭金

机构：

[1] 云南师大太阳能研究所

来源：

云南师范大学学报(自然科学版) | 1990年 / 自然科学版期

关键词：

GaAs大阳电池; 光谱响应; 光电流;

D O I：

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学科分类号：

摘要：

本文对P+-Ga1-xAlxAs/P-GaAs/n-GaAs/n±GaAs太阳电池模型的光谱响应和光生电流进行了理论计算,讨论了表面、界面复合速度,窗口层铝组分,表面层漂移场,各层厚度及扩散长度对电池特性的影响。结果表明,要得到大的光生电流,窗口层应很薄（WP+<0.1μ）,其扩散长度应大于3倍层厚;P-GaAs区在扩散长度一定时,结深存在优值,这一优值随耗尽区宽度的变化而产耙“漂移”,扩散长度一般要大于5～8倍结深;耗尽区应尽量宽;n-GaAs区厚度须依据P层和耗尽层的影响而定。

引用

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