Buried metal line compatible with 3D sequential integration for top tier planar devices dynamic Vth tuning and RF shielding applications

被引：0

作者：

Vandooren, A. ^{[1
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Wu, Z. ^{[1
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Khaled, A. ^{[1
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Franco, J. ^{[3
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Parvais, B. ^{[1
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Li, W. ^{[1
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Witters, L. ^{[1
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Walke, A. ^{[1
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Peng, L. ^{[1
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Rassoul, N. ^{[1
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Matagne, P. ^{[1
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Debruyn, H. ^{[1
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Jamieson, G. ^{[1
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Inoue, F. ^{[1
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Devriendt, K. ^{[1
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Teugels, L. ^{[1
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Heylen, N. ^{[1
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Vecchio, E. ^{[1
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Zheng, T. ^{[1
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Radisic, D. ^{[1
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Rosseel, E. ^{[1
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Vanherle, W. ^{[1
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Hikavyy, A. ^{[1
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Chan, B.T. ^{[1
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Besnard, G. ^{[2
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Schwarzenbach, W. ^{[2
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Gaudin, G. ^{[2
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Radu, I. ^{[2
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Nguyen, B.-Y. ^{[2
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Waldron, N. ^{[1
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De Heyn, V. ^{[1
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Demuynck, S. ^{[1
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Boemmels, J. ^{[1
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Ryckaert, J. ^{[1
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Collaert, N. ^{[1
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Mocuta, D. ^{[1
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机构：

[1] IMEC, Kapeldreef 75, Leuven,3001, Belgium

[2] SOITEC, Parc Technologique des Fontaines, Bernin,38190, France

[3] VUB, Dept. of Electronics and Informatics, Pleinlaan 2, Brussels,1050, Belgium

来源：

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology | 2019年 / 2019-June卷

关键词：

Compendex;

D O I：

8776490

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Threshold voltage - Metals - Integration

引用