Molecular dynamics study of Al implantation in 4H-SiC

被引：0

作者：

Leroch, Sabine ^{[1
]}

Stella, Robert ^{[1
]}

Hossinger, Andreas ^{[2
]}

Filipovic, Lado ^{[1
]}

机构：

[1] Institute for Microelectronics, Tu Wien, Cdl for Multi-Scale Process Modeling of Semiconductor Devices and Sensors, Vienna,1040, Austria

[2] Silvaco Europe Ltd., PE27 5JL, United Kingdom

来源：

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD | 2023年

关键词：

Compendex;

D O I：

暂无

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

Silicon carbide

引用

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