ON ENERGY-BAND BENDING NEAR P-GAAS SURFACE

被引：0
作者：
ARSENEVAGEIL, AN
KLIMIN, AI
TERNERSESYANTS, VE
机构：
来源：
FIZIKA TVERDOGO TELA | 1980年 / 22卷 / 09期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号：
070205 ;
摘要：
引用
收藏
页码：2850 / 2851
页数：2
相关论文
共 4 条
[1]   PHOTOEMISSION STUDIES OF GAAS-CS INTERFACE [J].
GREGORY, PE ;
SPICER, WE .
PHYSICAL REVIEW B, 1975, 12 (06) :2370-2381
[2]   WORK FUNCTION VARIATIONS OF GALLIUM-ARSENIDE CLEAVED SINGLE-CRYSTALS [J].
HUIJSER, A ;
VANLAAR, J .
SURFACE SCIENCE, 1975, 52 (01) :202-210
[3]  
STRIKHA VI, 1978, DOSTIZHENIYA PERSPEK
[4]   CONTACT POTENTIAL DIFFERENCES FOR 3-5 COMPOUND SURFACES [J].
VANLAAR, J ;
HUIJSER, A .
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1976, 13 (04) :769-772
1