INTRODUCTION RATES AND ANNEALING OF DEFECTS IN ION-IMPLANTED SIO2 LAYERS ON SI

被引：111

作者：

EERNISSE, EP ^{[1
]}

NORRIS, CB ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA LABS,ALBUQUERQUE,NM 87115

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1663215

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：5196 / 5205

页数：10

共 29 条

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