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POINT-DEFECT RESIDUAL DAMAGE CONSIDERATIONS FOLLOWING PREAMORPHIZATION OF SILICON .2. BORON-DIFFUSION EXPERIMENTS AND MODELING
被引：0
作者：
FAIR, RB
AJMERA, A
ROZGONYI, G
机构：
[1] N CAROLINA STATE UNIV,DEPT MAT SCI & ENGN,RALEIGH,NC 27695
[2] MCNC,RES TRIANGLE PK,NC 27709
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号：
081704 ;
摘要：
引用
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页码：C453 / C453
页数：1
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