ORIGIN OF LEAKAGE CURRENTS IN SILICON-ON-SAPPHIRE MOS-TRANSISTORS

被引：31

作者：

MCGREIVY, DJ ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES AIRCRAFT CO,NEWPORT BEACH RES CTR,NEWPORT BEACH,CA 92663

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1977.18812

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：730 / 738

页数：9

共 26 条

BOLEKY, EJ ;

MEYER, JE .

[2]

CULLEN CW, 1971, J CRYSTAL GROWTH, V9, P107

DUMIN, DJ .

[4] DIFFUSED DIODES IN SILICON-ON-SAPPHIRE [J].

DUMIN, DJ ;

SILVER, RS .

[5]

EERNISSE EP, 1973, SOLID STATE ELECTRON, V16, P315, DOI 10.1016/0038-1101(73)90004-X

[6] ION-IMPLANTATION IN SILICON FILMS ON SAPPHIRE [J].

EKLUND, KH ;

HOLMEN, G ;

PETERSTROM, S .

[7]

FLATLEY DW, 1974, OCT ECS M NEW YORK

[8]

Grove A S, 1967, PHYS TECHNOLOGY SEMI

[9]

HAM WE, 1973, IEDM

[10]

HARARI E, TO BE PUBLISHED