IMPROVED INTERFACE IN INVERSION-TYPE INP-MISFET BY VAPOR ETCHING TECHNIQUE

被引：58
作者：
OKAMURA, M
KOBAYASHI, T
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1980年 / 19卷 / 11期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.19.2151
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：2151 / 2156
页数：6
相关论文
共 7 条
[1]   INP-SIO2 MIS STRUCTURE WITH REDUCED INTERFACE STATE DENSITY NEAR CONDUCTION-BAND [J].
FRITZSCHE, D .
ELECTRONICS LETTERS, 1978, 14 (03) :51-52
[2]  
FRITZSCHE D, 1979, JUL DIG C INS FILMS
[3]   EFFECT OF HCL AND CL2 ON THERMAL OXIDATION OF SILICON [J].
KRIEGLER, RJ ;
CHENG, YC ;
COLTON, DR .
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1972, 119 (03) :388-&
[4]  
Milnes AG, 1972, HETEROJUNCTIONS META
[5]   SLOW CURRENT-DRIFT MECHANISM IN N-CHANNEL INVERSION TYPE INP-MISFET [J].
OKAMURA, M ;
KOBAYASHI, T .
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1980, 19 (11) :2143-2150
[6]  
SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO
[7]  
1960, ENCYCLOPEADIA CHIMIC
1