INSITU CONDUCTIVITY AND HALL MEASUREMENTS OF ULTRATHIN NICKEL SILICIDE LAYERS ON SILICON(111)

被引:27
作者
JENTZSCH, F [1 ]
FROITZHEIM, H [1 ]
THEILE, R [1 ]
机构
[1] UNIV HANOVER,INST FESTKORPERPHYS,D-3000 HANOVER 1,FED REP GER
关键词
D O I
10.1063/1.343615
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:5901 / 5907
页数:7
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