MODELING GAAS-MESFETS FOR INTERMODULATION ANALYSIS

被引：0
|
作者：
MAAS, SA
NEILSON, D
机构：
[1] UNIV CALIF LOS ANGELES,LOS ANGELES,CA 90024
[2] TRW CO INC,REDONDO BEACH,CA
来源：
MICROWAVE JOURNAL | 1991年 / 34卷 / 05期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
This paper describes a practical method for modeling the nonlinearities of GaAs FETs for intermodulation (IM) analysis. It presents straightforward methods for determining the properties of the three dominant nonlinearities, which include the gate I/V characteristic, the gate-to-source capacitance and the drain-to-source conductance.
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