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INSTABILITIES OF INP 3-LEVEL TRANSFERRED-ELECTRON OSCILLATORS
被引:27
作者
:
HILSUM, C
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HILSUM, C
MULLIN, JB
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MULLIN, JB
PREW, BA
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PREW, BA
REES, HD
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REES, HD
STRAUGHAN, BW
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STRAUGHAN, BW
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1970年
/ 6卷
/ 10期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19700215
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:307 / +
页数:1
相关论文
共 4 条
[1]
LSA OSCILLATOR-DIODE THEORY
[J].
COPELAND, JA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
COPELAND, JA
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1967,
38
(08)
:3096
-+
[2]
3-LEVEL OSCILLATOR - A NEW FORM OF TRANSFERRED-ELECTRON DEVICE
[J].
HILSUM, C
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HILSUM, C
;
REES, HD
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REES, HD
.
ELECTRONICS LETTERS,
1970,
6
(09)
:277
-&
[3]
NONLINEAR SPACE-CHARGE DOMAIN DYNAMICS IN A SEMICONDUCTOR WITH NEGATIVE DIFFERENTIAL MOBILITY
[J].
KROEMER, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KROEMER, H
.
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1966,
ED13
(01)
:27
-+
[4]
Mullin J. B., 1968, Journal of Crystal Growth, V3-4Spe, P281, DOI 10.1016/0022-0248(68)90154-1
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共 4 条
[1]
LSA OSCILLATOR-DIODE THEORY
[J].
COPELAND, JA
论文数:
0
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0
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0
COPELAND, JA
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1967,
38
(08)
:3096
-+
[2]
3-LEVEL OSCILLATOR - A NEW FORM OF TRANSFERRED-ELECTRON DEVICE
[J].
HILSUM, C
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0
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0
HILSUM, C
;
REES, HD
论文数:
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0
REES, HD
.
ELECTRONICS LETTERS,
1970,
6
(09)
:277
-&
[3]
NONLINEAR SPACE-CHARGE DOMAIN DYNAMICS IN A SEMICONDUCTOR WITH NEGATIVE DIFFERENTIAL MOBILITY
[J].
KROEMER, H
论文数:
0
引用数:
0
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0
KROEMER, H
.
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,
1966,
ED13
(01)
:27
-+
[4]
Mullin J. B., 1968, Journal of Crystal Growth, V3-4Spe, P281, DOI 10.1016/0022-0248(68)90154-1
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