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EVIDENCE OF EXCESS SILICON IN REACTIVELY SPUTTERED SILICON NITRIDE FILMS
被引:34
作者
:
CORDES, LF
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0
引用数:
0
h-index:
0
CORDES, LF
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1967年
/ 11卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1728222
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:383 / &
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共 12 条
[11]
PREPARATION AND PROPERTIES OF THIN FILM SILICON-NITROGEN COMPOUNDS PRODUCED BY A RADIO FREQUENCY GLOW DISCHARGE REACTION
[J].
SWANN, RCG
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SWANN, RCG
;
MEHTA, RR
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MEHTA, RR
;
CAUGE, TP
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CAUGE, TP
.
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1967,
114
(07)
:713
-&
[12]
TAFT EA, PRIVATE COMMUNICATIO
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共 12 条
[11]
PREPARATION AND PROPERTIES OF THIN FILM SILICON-NITROGEN COMPOUNDS PRODUCED BY A RADIO FREQUENCY GLOW DISCHARGE REACTION
[J].
SWANN, RCG
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SWANN, RCG
;
MEHTA, RR
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MEHTA, RR
;
CAUGE, TP
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CAUGE, TP
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JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1967,
114
(07)
:713
-&
[12]
TAFT EA, PRIVATE COMMUNICATIO
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